| 加工定制：否 | 品牌：DNK日本科研 | 型号：MA-4301M |
| 用途：刻蚀 | 别名：曝光机/光刻机 |
主要特长
利用本公司***的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。
装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具（选购项）。
备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理（选购项）。
搭载本公司***的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。
搭载非接触预对位系统（PREALIGNER）。从而实现了高精度进给且***基板不受任何损伤。
搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
主要规格
| MA-4301M | ||
|---|---|---|
| Wafer尺寸 | 材料 | Si,Glass |
| 尺寸 | Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm | |
| Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm | ||
| 节拍时间 | Proximity exposure：19 s/wafer (One parallelism compensation per lot) | |
| 对位精度 | 自动对位：+/- 1 μm (Peak search) | |
| 间隙 | 1 to 200 μm Servo motor Setup resolution：1 μm | |
| 曝光方式 | Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure | |
| 尺寸?重量 | 本体尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 总重量(including lamp house)：1400 kg | |
